1기 팹 건설에 21조6천억원 집행
SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 약 21조원의 대규모 투자를 한다.
SK하이닉스는 용인 클러스터 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 건설에 21조6000억원을 집행한다고 25일 공시했다. 투자 기간은 3월 1일부터 2030년 12월 말까지다.
1기 팹 건설에 투입되는 전체 금액은 2024년 7월 발표한 시설투자비 9조4000억원을 포함해 약 31조원이다. 인공지능(AI), 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등에 필요한 고성능·고집적 반도체 수요가 급증하는 추세에 맞춰 생산 역량을 확충해 안정적인 제품 공급 기반을 마련하겠다는 전략에서다.
SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산업단지 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설하는 공사를 진행하고 있다. 아울러 국내외 소재·부품·장비 기업 50여곳과 함께 반도체 협력단지를 구축하는 등 총 600조원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.
SK하이닉스 관계자는 "이번 투자를 기점으로 클러스터 내 50여개 협력사와의 상생 생태계 구축에도 속도를 내 생산역량 확대가 소재·부품·장비 기업 기업과의 동반성장으로 이어지도록 긴밀하게 협력하겠다"고 밝혔다.
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