1b D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 고안…데이터센터 전력비 최대 30% 절감
SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5 양산 준비를 마치고, 내년부터 제품을 본격 공급할 계획이다.
SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정 난이도가 높아졌는데, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 극복했다"고 소개했다.
반도체업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 부른다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다. SK하이닉스는 2021년 7월 극자외선(EUV)을 활용해 1a 기술이 적용된 D램을 본격 양산한 데 이어 지난해 2분기부터 1b 기술이 적용된 제품을 양산했다.
SK하이닉스는 1b D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다고 설명했다. 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고, SK하이닉스 1b의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨왔다.
고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 넘게 개선됐다. SK하이닉스는 "클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력비용을 30%까지 줄일 수 있다"고 소개했다.
SK하이닉스는 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정을 최적화했다. 설계기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시킴으로써 원가 경쟁력도 확보했다.
SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 등에 1c 기술을 적용할 계획이다. 김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 "1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라고 강조했다.
