SK하이닉스가 메모리반도체 업체 중 가장 먼저 데이터 처리 속도가 빠른 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E D램을 인공지능(AI) 반도체 시장의 큰 손 고객인 엔비디아에 납품한다.
SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 공급한다고 19일 밝혔다. SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 높인 고부가가치·고성능 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순서로 개발되고 있다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.
SK하이닉스는 "HBM3에 이어 현존 D램 중 최고 성능인 HBM3E도 가장 먼저 고객에 공급하는 것"이라며 "HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서 경쟁 우위를 지키겠다"고 밝혔다.
HBM3 시장의 90% 이상을 점유한 SK하이닉스는 지난 1월 차세대인 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작하고, 고객 인증을 준비해왔다. SK하이닉스가 이번에 선보인 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량의 데이터를 1초에 처리하는 속도다.
발열을 효과적으로 제어하기 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. SK하이닉스의 독자 기술인 MR-MUF는 적층한 칩 사이에 보호재를 넣은 후 전체를 한 번에 굳힌다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 기존 방식과 비교해 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이다.
SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품도 고객 일정에 맞춰 제품화를 진행 중이다. SK하이닉스는 "12단 제품도 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 규격에 맞춰 8단과 같은 높이로 구현할 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 지난달 20일 미국 샌프란시스코에서 열린 국제고체회로학회(ISSCC) 콘퍼런스에서 HBM3E 16단 기술을 세계 최초로 공개했다.
