2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원 투입도 발표…"HBM서도 곧 가시적 성과보일 것"
지난해 대규모 적자를 낸 삼성전자 반도체 부문이 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 의지를 다졌다.
경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 20일 주주총회에서 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것"이라며 이같이 강조했다.
경계현 사장은 "기존 사업만으론 장기적으로 반도체 1등을 유지할 수 없다"며 "연구개발(R&D) 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자와 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축하겠다"고 강조했다.
삼성전자는 지난해 인텔에 반도체 공급사 매출 1위 자리를 내줬다. 지난해 삼성전자 반도체 매출은 전년 대비 37.5% 감소한 399억달러로 미국 인텔(487억달러)에 이어 2위였다.
반도체연구소는 양적·질적 측면에서 두 배로 키울 계획이다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단기술 개발의 결과를 양산 제품에 빠르게 적용하기로 했다.
경 사장은 "삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 핀펫(FinFET), 게이트올어라운드(GAA) 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획"이라고 밝혔다. 이를 위해 오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입한다.
경 사장은 올해 DS부문 매출이 2022년 수준으로 회복할 것으로 전망했다. 삼성전자는 메모리반도체의 경우 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 활용한 128기가바이트(GB) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단을 쌓은 고대역폭 메모리(HBM)를 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다.
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고, 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 오토모티브와 RF 등 특수공정 완성도를 향상하는 등 고객 포트폴리오도 확대할 방침이다.
미래에 대비한 신사업도 준비한다. 경 사장은 "어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억달러 이상 매출을 올릴 것"이라며 "실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 차세대 전력 반도체와 증강현실(AR) 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 것"이라고 밝혔다.
사업전략 발표 이후 '주주와의 대화' 시간에 주주들은 반도체 사업에 대한 질문과 의견을 쏟아냈다. 반도체 사업이 지지부진한 이유를 묻는 주주의 질문에 경 사장은 "1월부터 적자에서 벗어나 흑자 기조로 돌아섰다"며 "올해 전반적으로 어느 정도 궤도에 올라가는 모습을 볼 수 있을 것"이라고 답변했다.
HBM에서 한발 늦었다는 지적에 경 사장은 "다시는 그런 일이 생기지 않도록 더 잘 준비하고 있다"며 "컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)와 지능형 반도체(PIM)는 다양한 고객들과 협의하면서 실제 적용 등을 진행하고 있고, 곧 가시적 성과를 보일 수 있을 것"이라고 말했다.
파운드리 후발주자인 미국 인텔의 1.4나노 공정 계획 발표가 삼성전자에 위협적인지를 묻는 주주 질문에 최시영 파운드리사업부장(사장)은 "인텔과 비교하면 우리는 중앙처리장치(CPU)뿐 아니라 모바일 AP, 시스템온칩(SoC), 그래픽처리장치(GPU), 오토모티브 등 다양한 제품을 개발해 공급한 파운드리 필드 레코드를 갖고 있다"며 자신감을 보였다.
