경계현 사장 "차세대 트래지스터 기술의 적용은 무에서 유를 창조한 혁신"
해외 고객사와 협력, 모바일 시스템온칩(SoC) 등 다양한 제품군 개발키로
삼성전자가 25일 세계 최초로 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 공정을 통한 파운드리(반도체 위탁생산) 제품 양산을 개시하며 출하식을 개최했다. 삼성전자의 3나노 양산은 업계 1위인 대만 TSMC보다 앞선 것으로 메모리에 이어 파운드리 분야에서도 1위로 도약할 수 있는 발판을 마련한 것으로 평가된다.
삼성전자는 이날 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 했다고 밝혔다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여명이 참석했다.
삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했다. 삼성전자가 업계 최초로 적용한 GAA는 기존 5나노 핀펫(FinFET) 공정과 비교해 전력은 45% 절감하고, 성능은 23% 높이고, 면적은 16% 축소한 신기술이다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초반부터 시작했다. 2017년부터 3나노 공정에 적용한 끝에 양산에 성공했다. 국내 소재·부품·장비 및 시스템반도체 기업들은 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발함으로써 3나노 제품 양산을 뒷받침했다.
경계현 사장은 인사말에서 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 평가했다. 이창양 장관은 축사에서 "3나노 공정이 높은 수율(결함이 없는 합격품 비율)을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다"고 강조했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용하고, 고객사와 협력해 모바일 시스템온칩(SoC) 등 다양한 제품군에 적용할 계획이다. 또한 화성캠퍼스에 이어 평택 캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품의 양산을 확대할 예정이다.
