이재용 부회장"삼성은 세계 최대 반도체 생산,美와 긴밀한 경제관계"
세계 최대 규모 반도체 생산기지인 삼성전자 평택공장에서 한·미 정상의 첫 만남이 이뤄졌다. 이재용 삼성전자 부회장은 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령에게 직접 공장을 안내하고, 양국 대통령의 공동 연설에 앞서 영어로 회사를 소개했다. 두 정상은 방명록 대신 반도체 재료인 웨이퍼에 서명하면서 '반도체 동맹' 의지를 표명했다.
바이든 대통령은 20일 오후 전용기인 에어포스원으로 경기도 오산 공군기지에 도착한 뒤 곧바로 자동차를 이용해 삼성전자 평택공장으로 이동했다. 먼저 도착한 윤 대통령이 바이든 대통령을 맞았다. 두 정상은 3나노미터(㎚·1나노=10억분의 1ｍ) 공정이 적용된 최첨단 반도체 웨이퍼에 서명했다.
삼성전자에 따르면 평택공장은 부지 면적이 축구장 400개를 합친 규모(289만㎡, 약 87만평)로 현재 1라인과 2라인이 가동 중이다. 단일 반도체 생산라인으로 세계 최대 규모인 3라인은 올 하반기부터 가동 예정이며, 4·5·6라인 건설도 추진된다. 라인당 투자금액은 약 30조원이다. 1라인에서는 메모리 반도체를, 2라인에서는 메모리와 파운드리 제품을 생산한다. 생산 규모는 세계 메모리 반도체의 약 15%에 해당한다.
두 정상은 2시간 정도 평택공장에 머물면서 이 부회장의 안내를 받아 1라인과 건설 중인 3라인 등을 둘러봤다. 삼성전자는 이날 최신 기술 '게이트올어라운드(GAA)'를 적용한 3㎚ 공정을 선보이면서 바이든 대통령과 함께 방문한 반도체 설계업체 퀄컴 관계자에게 기술력 우위를 과시했다. 퀄컴은 삼성전자와 TSMC의 주요 고객이다. 삼성전자는 세계 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와 미세공정 기술 경쟁을 하고 있다. GAA 기반 3나노 반도체는 TSMC를 따라잡을 제품으로 꼽힌다.
GAA는 반도체 칩의 기본 소자인 트랜지스터를 더 작고 빠르면서 전력 소모가 더 적게 만드는 기술이다. 삼성전자는 GAA 기술을 활용해 올 상반기 3㎚ 반도체를 양산할 계획이다.
윤 대통령은 생산시설 시찰 후 이어진 공동 연설에서 "미국 오스틴시에 이어 테일러시에 (한국의) 첨단 파운드리 공장을 설립하기에 이르렀고, 미국의 반도체 소재·장비 업체들도 한국 반도체 업체와 협업을 강화하고 있다"며 "(바이든 대통령의) 방문을 계기로 한·미 관계가 첨단 기술과 공급망 협력에 기반한 경제 안보 동맹으로 거듭나기를 희망한다"고 말했다.
바이든 대통령은 "한국은 5세대(5G) 통신과 나노 기술 등 많은 분야에서 기술을 이끌고 있다"며 "한·미 간 기술동맹을 이용해 앞으로 더욱 발전할 것으로 생각한다"고 밝혔다. 이어 "한국처럼 가치를 공유하는 동맹국과 함께 공급망 회복을 위해 함께 박차를 가해야 한다"고 강조했다.
앞서 이재용 부회장은 "삼성은 세계 최대 반도체 생산시설을 운영하고 있고, 또한 미국과 아주 긴밀한 경제 관계를 유지하고 있다"고 1분 정도 영어로 인사말을 한 뒤 두 정상을 맞이했다. 조 바이든 대통령이 방한 첫 일정으로 삼성전자 평택공장 방문을 선택한 것은 미국 중심으로 공급망을 재편하려는 의중이 실린 것으로 반도체가 그 핵심인 것으로 분석된다.
이날 두 정상의 삼성전자 평택공장 방문에는 박진 외교부·이창양 산업통상자원부·이종호 과학기술정보통신부 장관과 김성한 국가안보실장, 최상목 경제수석, 왕윤종 경제안보비서관 등 100여 명이 동행했다. 미국에선 러몬도 상무장관, 제이크 설리번 백악관 국가안보보좌관, 크리스토퍼 델 코르소 주한미국대사대리, 대니얼 크리튼브링크 동아태 차관보 등 50여 명이 함께 했다.
