글로벌 압도적 선두인 대만TSMC 추격고삐…10조 규모 투자베팅
삼성전자가 경기도 평택에 극자외선(EUV·Extreme Ultra Violet) 파운드리 생산라인을 구축하는 대규모 투자 계획을 발표했다. 2030년 글로벌 시스템 반도체 시장 1위 달성을 목표로 잡은 '반도체 비전 2030'의 일환이다.
삼성전자는 경기도 평택캠퍼스에 2021년 가동을 목표로 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대응하는 파운드리(반도체 위탁생산) 생산시설을 구축한다고 21일 밝혔다. 삼성전자는 지난 2월 화성사업장에 초미세 극자외선(EUV) 전용 'V1 라인'을 본격 가동한 데 이어 평택캠퍼스에도 EUV 파운드리 라인을 신설하며 반도체 비전 2030 목표 달성을 위한 투자를 본격화했다.
현재 삼성이 보유한 파운드리 생산라인은 기흥 2개, 화성 3개, 미국 오스틴 1개 등 총 6개다. 이번 평택은 7번째 파운드리 라인이면서, EUV 생산 라인으로서는 화성에 이어 두 번째다. 삼성이 이번 투자규모를 공개하지 않았으나 업계는 10조원에 이르는 대규모 투자로 보고 있다.
평택캠퍼스 EUV 파운드리 라인은 이달 공사에 착수했다. EUV 노광 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술로 기존 공정으로는 할 수 없는 초미세 회로 구현이 가능하다. 기존 불화아르곤을 대체할 수 있는 차세대 광원으로 고성능·저전력 반도체를 만드는데 필수 기술이다.
현재 글로벌 파운드리 시장은 대만의 TSMC가 압도적인 1위이고, 삼성이 2위 자리에서 추격하는 양상이다. 삼성전자는 차세대 기술인 EUV를 통한 기술력 싸움으로 TSMC와의 격차를 좁혀 나가면서 시스템 반도체 1위 달성을 위한 초석을 다지겠다는 각오다.
삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030' 발표 이후 파운드리 생산시설 투자를 지속적으로 확대하고 있다. 지난해 화성 'S3 라인'에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 'V1 라인'을 통해 초미세 공정 생산 규모를 확대했다.
2020년부터 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산규모는 빠른 속도로 늘어나게 된다. 삼성전자는 생산성을 더욱 높인 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 5나노 제품 생산에 나설 계획이다.
5나노 공정은 현존하는 최고 난도의 초미세공정으로 TSMC와 삼성이 양산 시점을 놓고 경쟁하고 있다. 삼성은 현재 5나노 공정보다 앞선 기술의 3나노 공정을 개발하고 있다. 여기에는 기존 구조와 다른 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용해 초미세 공정기술을 한 단계 높일 계획이다. 3나노 기반 제품 생산은 2022년이 목표다.
