SK하이닉스가 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭 메모리 HBM4 개발을 완료하고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 발표했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로 AI 칩의 핵심 부품이다.
HBM4 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장은 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 강조했다.
HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순서로 개발된다. SK하이닉스는 업계 최초로 HBM4를 개발해 양산 체제를 구축했다.
AI 수요와 데이터 처리량이 큰 폭으로 증가하면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 HBM 수요도 급증하고 있다. 여기에 많은 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담이 가중되면서 메모리의 전력 효율 제고가 과제로 떠올랐다.
HBM4는 이전 세대 HBM3E보다 두 배 많은 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 두 배로 확대하고 전력 효율을 40% 이상 끌어올리는 등 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현했다.
SK하이닉스는 "HBM4를 고객 시스템에 도입하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 높일 수 있어 데이터 병목 현상을 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 수 있다"고 설명했다.
