SK하이닉스가 파운드리(반도체 수탁생산) 세계 1위 기업인 대만 TSMC와 손잡고 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산과 첨단 패키징 기술 역량을 강화한다.
SK하이닉스는 TSMC와 최근 대만 타이베이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발할 계획이라고 19일 밝혔다.
인공지능(AI) 반도체 시장의 큰손인 미국 기업 엔비디아는 AI 연산작업의 핵심인 그래픽처리장치(GPU)용 HBM을 SK하이닉스에서 공급받아 TSMC에 패키징을 맡기는 방식으로 조달하고 있다.
SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더로서 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 밝혔다.
양사는 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(base die) 성능을 개선할 계획이다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 통제하는 역할을 수행한다.
SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들었다. HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 초미세 선단공정을 활용해 다양한 시스템 기능을 추가함으로써 성능과 전력 효율이 높은 고객 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다.
HBM4는 HBM3보다 2배 이상 빠르고 처리 용량도 커야 한다. 그러려면 베이스 다이가 기존 HBM처럼 단순히 D램 칩과 GPU를 연결하는 역할을 넘어 시스템반도체에서 요구되는 여러 기능을 수행해야 한다.
SK하이닉스 AI 인프라 담당 김주선 사장은 "TSMC와 협업해 최고 성능의 HBM4를 개발함은 물론 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 내겠다"고 밝혔다.
