삼성 파운드리 사업부장"뒤처지는 기술력 인정을"

한진만 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 파운드리사업부장(사장)이 대만 TSMC 등 경쟁업체에 기술이 밀리는 것을 인정하며 최첨단 제품에서 앞서나가자고 다짐했다.

반도체업계에 따르면 지난달 27일 파운드리사업부장에 선임된 한진만 사장은 9일 임직원에게 보낸 첫 메시지를 통해 "타 대형 업체에 비해 뒤처지는 기술력을 갖고 있다는 것을 인정해야 한다"며 최첨단 공정인 2㎚(나노미터·10억분의 1m)의 빠른 램프업(생산량 확대)을 핵심 과제로 꼽았다.

이는 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC를 의식한 메시지로 해석된다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC의 3분기 시장점유율은 64.9%로 삼성전자(9.3%)와 큰 격차로 1위를 지키고 있다.

한진만 사장은 "단기간 메이저 파운드리 업체를 따라잡을 수는 없겠지만, 현장에서 영업과 기술을 지원하는 분들이 자신 있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아가자"고 당부했다.

한 사장은 2나노의 빠른 램프업을 강조했다. 그는 "게이트올어라운드(GAA) 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만, 사업화에 있어서는 아직 부족함이 너무 많다"며 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다"고 강조했다. 그러면서 "이를 위해 공정 수율을 획기적으로 개선해야 할 뿐만 아니라 소비전력·성능·면적(PPA) 향상을 위해 모든 노브(knob·혹)를 샅샅이 찾아내야 한다"고 주문했다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 전력 효율이 높아 차세대 기술로 주목받고 있다. 삼성전자는 2022년 6월 GAA를 3나노에 세계 최초로 도입해 TSMC보다 해당 기술에선 한발 앞섰다는 평가를 받았다. 그런데 최근 TSMC가 2나노 공정 제품의 시험생산 수율(생산품 대비 정상품 비율)이 60%를 넘고, 내년 2나노 제품 양산 계획을 밝힌 만큼 최첨단 공정에서도 TSMC에 밀린다는 우려가 제기됐다.

한 사장은 "우리 사업부가 개발해놓은 성숙 노드들의 사업화 확대를 위한 엔지니어링 활동에 힘써 달라"며 "성숙 노드 사업은 선단 노드의 사업화에 필요한 시간과 자원을 지원할 수 있는 중요한 사업"이라고 강조했다.