업계 선두 대만의 TSMC보다 한발 앞서 기선 제압
초미세 공정 기술력을 먼저 확보해 시장재편 노려
삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정의 양산에 돌입한다. 삼성전자가 3나노 공정의 양산을 시작하면 대만 TSMC보다 기술력에서 앞선다는 것을 고객사에 보여주면서 파운드리 시장에서의 위상도 강화될 전망이다.
반도체 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.
지난달 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 서명해 화제를 모았다. 삼성전자는 그동안 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해왔다. 올해 초 TSMC는 하반기에 3나노 반도체를 양산할 것이라고 밝혔다.
메모리 반도체의 절대 강자인 삼성전자는 파운드리 시장에선 TSMC에 밀려 추격하는 상황이다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 매출은 53억2800만달러(약 6조4256억원)로 지난해 4분기 대비 3.9% 감소했다. 이 기간 시장점유율도 18.3%에서 16.3%로 낮아졌다.
이와 달리 TSMC는 같은 기간 11.3% 증가한 175억2900만달러 매출을 기록했다. 시장점유율도 52.1%에서 53.6%로 높아졌다.
삼성은 TSMC가 독주하는 파운드리 시장의 판세를 초미세 공정 기술력을 먼저 확보해 흔들려고 노력해왔다. 최근 이재용 부회장이 유럽 출장을 마치고 돌아오면서 "첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술"이라며 기술의 중요성을 강조한 것도 이런 맥락이다.
